рефераты
Главная

Рефераты по международному публичному праву

Рефераты по международному частному праву

Рефераты по международным отношениям

Рефераты по культуре и искусству

Рефераты по менеджменту

Рефераты по металлургии

Рефераты по муниципальному праву

Рефераты по налогообложению

Рефераты по оккультизму и уфологии

Рефераты по педагогике

Рефераты по политологии

Рефераты по праву

Биографии

Рефераты по предпринимательству

Рефераты по психологии

Рефераты по радиоэлектронике

Рефераты по риторике

Рефераты по социологии

Рефераты по статистике

Рефераты по страхованию

Рефераты по строительству

Рефераты по таможенной системе

Сочинения по литературе и русскому языку

Рефераты по теории государства и права

Рефераты по теории организации

Рефераты по теплотехнике

Рефераты по технологии

Рефераты по товароведению

Рефераты по транспорту

Рефераты по трудовому праву

Рефераты по туризму

Рефераты по уголовному праву и процессу

Рефераты по управлению

Реферат: Элементная база радиоэлектронной аппаратуры

Реферат: Элементная база радиоэлектронной аппаратуры

УПИ – УГТУ

Кафедра радиоприёмные устройства.

Контрольная работа № 1

по дисциплине: “ Элементная база радиоэлектронной аппаратуры “.

Вариант № 17

Шифр:

Ф.И.О

Заочный факультет

Радиотехника

Курс: 3


                                                                    

 Краткая словесная характеристика диода.

   Диод кремниевый эпитаксиально- планарный.

   Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Диоды маркируются цветным кодом: одной широкой и одной узкой полосами зелёного цвета со стороны вывода катода.

   Масса диода не более 0,15 г.

Паспортные параметры.

Электрические параметры:

Постоянное прямое напряжение при не Iпр= 200 мА  более:

   при 298 и 398 К ……………………………………………………………..     1,1 В

   при 213 К ……………………………………………………………………     1,5 В

Постоянный обратный ток при Uпр= 50 В,  не более:                                                                                                  

   при 298 и 213 К …………………………………………………………….         5 мкА

   при 398 К ……………………………………………………………………     150 мкА

Заряд переключения при Iпр= 50 мА, Uобр,и= 10 В, не более ……………….      400 пКл

Общая ёмкость диода при Uобр= 0 В,   не более …………………………………          4 пФ

Время обратного восстановления при Iпр= 50 мА, Uобр,и= 10 В,

Iотсч= 2 мА не более ………………………………………………………………          4 нс

Предельные эксплуатационные данные:

Постоянное, импульсное обратное напряжение (любой формы и

периодичности) ………………………………………………………………………       50 В

Импульсное обратное напряжение при длительности импульса (на уровне 50 В)

не более 2 мкс и скважности не менее 10 …………………………………………        70 В

Постоянный или средний прямой ток:

   при температуре от 213 до 323 К …………………………………………      200 мА

   при 393 К …………………………………………………………………..      100 мА

Импульсной прямой ток при τи ≤ 10 мкс (без превышения среднего прямого тока):

   при температуре от 213 до 323 К …………………………………………    1500 мА

   при 393 К …………………………………………………………………..      500 мА

Температура перехода ………………………………………………………………      423 К

Температура окружающей среды ………………………………………………….От 213 до

                                                                                                                                             393 К

Семейство вольтамперных характеристик:


Iпр,мА

200
160

Выноска 3: 298К

120

Выноска 3: 213К80

40

0

0,4 0,8 1,2 1,6 2,0

Uпр,В   


Расчёты и графики зависимостей:

1)            сопротивление постоянному току R= и переменному току (малый сигнал) r~ от прямого и обратного напряжения для комнатной температуры 298 К.

Зависимость тока от прямого напряжения:

Iпр,мА

200

I8

180

160

140

120

100

 

80

60

40

20

I1